IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) 绝缘栅双极型功率管 是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。 igbt是vmos和bjt组成，vmos是V型场效应管，电压驱动器件，输入阻抗高，但是输入电容大， igbt是voms在前，bjt在后，好处是在高压大电流应用的时候，后级的bjt压降小，导通电阻的，效率高 非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域 IGBT器件将不断开拓新的应用领域，为高效节能、节材，为新能源、工业自动化(高频电焊机, 高频超声波, 逆变器, 斩波器, UPS/EPS, 感应加热)提供了新的商机。简单点说就是大功率的开关器件二、igbt上的字母和数字代表什么意思？
一英飞凌BMS系列给你举例吧。BSM100GB120DN2K BSM--------------带反并联续流二极管(F.W.D)的IGBT模块 BYM--------------二极管模块 100-----------Tc=80°C时的额定电流 GA--------一单元模块 GB----------两单元模块(半桥模块) GD----------六单元模块 GT----------三单元模块 GP----------七单元模块(功率集成模块) GAL----------斩波模块(斩波二极管靠近集电极) GAR----------斩波模块(斩波二极管靠近发射极) 120-------额定电压×10 DL------低饱和压降 DN2----高频型 DLC----带(EmCon)二极管的低饱和压降 其他厂商命名上都大同小异。你可以发具体型号出来，我帮你看看
