IC 温度过高 原因及解决办法： 1）内部的 MOSFET 损耗太大： 开关损耗太大，变压器的寄生电容太大，造成 MOSFET 的开通、关断电流与 Vds 的交叉面积大。解决办法：增加变压器绕组的距离，以减小层间电容，如同绕组分多层绕制时，层间加入一层绝缘胶带（层间绝缘） 。 2）散热不良： IC 的很大一部分热量依靠引脚导到 PCB 及其上的铜箔，应尽量增加铜箔的面积并上更多的焊锡 3）IC 周围空气温度太高： IC 应处于空气流动畅顺的地方，应远离零件温度太高的零件。 空载、轻载不能启动 现象： 空载、轻载不能启动，Vcc 反复从启动电压和关断电压来回跳动。 原因： 空载、轻载时，Vcc 绕组的感应电压太低，而进入反复重启动状态。 解决办法： 增加 Vcc 绕组圈数，减小 Vcc 限流电阻，适当加上假负载。如果增加 Vcc 绕组圈数，减小 Vcc 限流电阻后，重载时 Vcc 变得太高，请参照稳定 Vcc 的办法。
